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    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A09GQTA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24.2nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:7.5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:40mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A09GQTA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24.2nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:7.5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:40mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A09GQTA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24.2nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:7.5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:40mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K33HZGTB 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K33HZGTB 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):2500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SP8K33HZGTB

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V

    栅极电荷:12nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:48mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G08N06S 起订31个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G08N06S 起订31个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G08N06S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:979pF@30V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:26mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K33HZGTB 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K33HZGTB 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):2500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SP8K33HZGTB

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V

    栅极电荷:12nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:48mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A09GQTA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24.2nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:7.5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:40mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A09GQTA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24.2nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:7.5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:40mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G08N06S 起订32个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G08N06S 起订32个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G08N06S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:979pF@30V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:26mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K33HZGTB 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K33HZGTB 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):2500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SP8K33HZGTB

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V

    栅极电荷:12nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:48mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K33HZGTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K33HZGTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):2500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SP8K33HZGTB

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V

    栅极电荷:12nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:48mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A09GQTA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24.2nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:7.5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:40mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):1000psc

    规格型号(MPN):ZXMN6A09GQTA

    阈值电压:3V

    栅极电荷:24.2nC

    包装方式:Reel

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~+150℃

    ECCN:EAR99

    导通电阻:40mΩ

    功率:2W

    类型:MOSFET

    连续漏极电流:7.5A

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 BSL606SNH6327XTSA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL606SNH6327XTSA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL606SNH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.3V@15μA

    栅极电荷:5.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:657pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6068SEQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6068SEQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6068SEQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:502pF@30V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09GQTA 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A09GQTA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24.2nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:7.5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:40mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G08N06S 起订500个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G08N06S 起订500个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G08N06S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:979pF@30V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:26mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K33HZGTB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K33HZGTB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):2500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SP8K33HZGTB

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V

    栅极电荷:12nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:48mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 SP8K33HZGTB 起订2000个装
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K33HZGTB 起订2000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):2500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SP8K33HZGTB

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V

    栅极电荷:12nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:48mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GTA 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GTA 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08GTA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11GTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11GTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A11GTA

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:5.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@40V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@10V,2.5A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K33HZGTB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K33HZGTB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):2500psc

    规格型号(MPN):SP8K33HZGTB

    阈值电压:2.5V

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:5A

    漏源电压:60V

    栅极电荷:12nC

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:48mΩ

    功率:2W

    类型:MOSFET

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL606SNH6327XTSA1 起订6000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL606SNH6327XTSA1 起订6000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL606SNH6327XTSA1

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@4.5A,10V

    栅极电荷:5.6nC@5V

    漏源电压:60V

    输入电容:657pF@25V

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:2.3V@15μA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:4.5A

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106GTA 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106GTA 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP2106GTA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:450mA

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:5Ω@10V,500mA

    类型:1个P沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:100pF@18V

    功率:2W

    阈值电压:3.5V@1mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106GTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106GTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP2106GTA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:450mA

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:5Ω@10V,500mA

    类型:1个P沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:100pF@18V

    功率:2W

    阈值电压:3.5V@1mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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