品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7415DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@5.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7415DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@5.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6017LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6017LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN86501LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:116mΩ@2.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6022SSDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2127pF@25V
连续漏极电流:7.1A€22.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6017LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6015LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18.9nC@30V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1103pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@30V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6016LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2615(TE12L.F)
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:6nC@10V
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:25pF@10V
导通电阻:230mΩ@10V,1A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6010LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:41.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@30V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@30V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN86501LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:5.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:116mΩ@2.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G02P06
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:573pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN86501LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:116mΩ@2.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7465DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:64mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A07ZTA
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:3.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:166pF@40V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7414DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@8.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7465DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:64mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@30V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6022SSD-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2127pF@25V
连续漏极电流:7.1A€22.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7120ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@9.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7949DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:64mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7414DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@8.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7465DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:64mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A11ZTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@40V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:08+
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7415DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@5.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7120ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@9.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7949DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:64mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: