品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:2.5V@250μA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:3V@1mA
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,200mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:3V@1mA
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,200mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:3V@1mA
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,200mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:1.6nC@10V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:5pF@25V
导通电阻:5Ω@10V,0.5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:1.77nC@10V
输入电容:43pF@30V
连续漏极电流:170mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:2.8pF@30V
导通电阻:8Ω@10V,0.17A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:1.6nC@10V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:5pF@25V
导通电阻:5Ω@10V,0.5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF170LT1G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
导通电阻:5Ω@200mA,10V
ECCN:EAR99
功率:225mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:7.5Ω@10V,500mA
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:115mA
功率:225mW
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:1.6nC@10V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:5pF@25V
导通电阻:5Ω@10V,0.5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:1.77nC@10V
输入电容:43pF@30V
连续漏极电流:170mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:2.8pF@30V
导通电阻:8Ω@10V,0.17A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:1.77nC@10V
输入电容:43pF@30V
连续漏极电流:170mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:2.8pF@30V
导通电阻:8Ω@10V,0.17A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:1.6nC@10V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:5pF@25V
导通电阻:5Ω@10V,0.5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:1.6nC@10V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:5pF@25V
导通电阻:5Ω@10V,0.5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:1.6nC@10V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:5pF@25V
导通电阻:5Ω@10V,0.5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:1.77nC@10V
输入电容:43pF@30V
连续漏极电流:170mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:2.8pF@30V
导通电阻:8Ω@10V,0.17A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:3V@1mA
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,200mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:3V@1mA
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,200mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:2.5V@250μA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:2.5V@250μA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250μA
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:1个P沟道
反向传输电容:5pF@25V
导通电阻:8Ω@10V,100mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:2.5V@250μA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:2.5V@250μA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,200mA
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
功率:225mW
包装清单:商品主体 * 1
库存: