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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：511pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3460
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.75V@250μA
栅极电荷：9.3nC@10V
输入电容：509pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：23pF@15V
导通电阻：55mΩ@10V，2A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：511pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：511pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：511pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3460
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.75V@250μA
栅极电荷：9.3nC@10V
输入电容：509pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：23pF@15V
导通电阻：55mΩ@10V，2A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2309
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：380pF@30V
连续漏极电流：1.25A
类型：1个P沟道
反向传输电容：6pF@30V
导通电阻：340mΩ@10V，1.25A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2309
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：380pF@30V
连续漏极电流：1.25A
类型：1个P沟道
反向传输电容：6pF@30V
导通电阻：340mΩ@10V，1.25A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2309
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：380pF@30V
连续漏极电流：1.25A
类型：1个P沟道
反向传输电容：6pF@30V
导通电阻：340mΩ@10V，1.25A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2309
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：380pF@30V
连续漏极电流：1.25A
类型：1个P沟道
反向传输电容：6pF@30V
导通电阻：340mΩ@10V，1.25A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2309
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：380pF@30V
连续漏极电流：1.25A
类型：1个P沟道
反向传输电容：6pF@30V
导通电阻：340mΩ@10V，1.25A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2309
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：380pF@30V
连续漏极电流：1.25A
类型：1个P沟道
反向传输电容：6pF@30V
导通电阻：340mΩ@10V，1.25A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@25μA
栅极电荷：670pC@4.5V
输入电容：64pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：480mΩ@10V，1.2A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：511pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：511pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：511pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@25μA
栅极电荷：670pC@4.5V
输入电容：64pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：480mΩ@10V，1.2A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：156mΩ@3A，10V
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：511pF@15V
类型：1个N沟道
栅极电荷：4.3nC@4.5V
漏源电压：60V
功率：1.25W
连续漏极电流：3A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
