采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK40A06N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10P6F6
工作温度：175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@48V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP55NF06FP
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10P6F6
工作温度：175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@48V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10P6F6
工作温度：175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@48V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP55NF06FP
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK40A06N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
反向传输电容：105pF@25V
导通电阻：15mΩ@10V，27.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
反向传输电容：105pF@25V
导通电阻：15mΩ@10V，27.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK40A06N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP55NF06FP
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP55NF06FP
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP55NF06FP
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP55NF06FP
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP55NF06FP
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP55NF06FP
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
反向传输电容：105pF@25V
导通电阻：15mΩ@10V，27.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10P6F6
工作温度：175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@48V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP55NF06FP
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP55NF06FP
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP55NF06FP
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
