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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4948BEY-T1-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4948BEY-T1-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4948BEY-T1-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K39GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.7V@200µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4948BEY-T1-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K39GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.7V@200µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K37GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.7V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K37GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.7V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K39GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.7V@200µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4948BEY-T1-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4948BEY-T1-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8JC5TB1
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2.63nF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个P沟道
导通电阻：32mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K39GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.7V@200µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4948BEY-T1-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4948BEY-T1-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K32GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：65mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4948BEY-T1-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT64M8LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：47.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2664pF@30V
连续漏极电流：13.6A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K32GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：65mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4948BEY-T1-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4948BEY-T1-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K32GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：65mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8JC5TB1
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2.63nF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个P沟道
导通电阻：32mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4948BEY-T1-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K32GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：65mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K37GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.7V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
