品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"01+":3200,"04+":16828}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB27N06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:88.2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@13.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:88.2W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:88.2W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"01+":3200,"04+":16828}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB27N06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:88.2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@13.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:88.2W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"01+":3200,"04+":16828}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB27N06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:88.2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@13.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:88.2W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:88.2W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:88.2W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:88.2W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB27N06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:88.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@13.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40S06N1L,LXHQ
功率:88.2W
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@200µA
输入电容:1650pF@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:175℃
栅极电荷:26nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:18mΩ@20A,10V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:88.2W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40S06N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:88.2W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:88.2W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40S06N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:88.2W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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