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    品牌
    INFINEON ON SEMI Taiwan Semiconductor ST NEXPERIA VISHAY
    漏源电压
    60V
    工作温度
    -55°C~175°C（TJ）
    包装方式
    卷带（TR） 管件
    类型
    2 N-通道（双） P 通道 N 通道
    功率
    95W（Tc） 125W（Tc） 45W（Tc） 150W（Tc） 65W 83W（Tc） 250W（Tc） 39W（Tc） 430mW（Tc） 230W（Tc） 36W（Tc） 625mW（Ta），5.4W（Tc） 68W（Tc） 375W（Tc） 50W（Tc） 140W（Tc） 3.75W（Ta），272W（Tc） 48.4W（Tj） 92W（Tc） 4.8W（Ta），187W（Tc） 3.8W（Ta），167W（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） 2W（Ta），15W（Tc） 13.6W（Tc） 43W（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） 333W（Tc） 710mW（Ta），8.3W（Tc） 670mW（Ta），7.5W（Tc） 167W（Tc） 326W（Tc） 3.8W（Ta），37W（Tc） 91W（Tc） 231W（Tc） 200W（Tc） 115W（Tc） 5W（Tc） 85W（Tc） 238W（Ta） 3.1W（Ta），45W（Tc） 2.5W（Ta），63W（Tc） 110W（Tc） 42W（Tc） 263W（Tc） 30W（Tc） 3W（Ta），214W（Tc） 4W（Ta），115W（Tc） 3.1W（Ta），68W（Tc） 60W（Tc） 3.6W（Ta），46W（Tc） 380W（Tc） 79W（Tc） 188W（Tc） 3.8W（Ta），42W（Tc） 3.9W（Ta），113W（Tc）
    行业应用
    汽车 工业
    阈值电压
    1V @ 250µA 4V @ 250µA 2.1V @ 1mA 4V @ 1mA 4.5V @ 250µA 3V @ 250µA 2.7V @ 250µA 2.1V @ 250µA 2V @ 250µA 3.5V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2V @ 135µA 4V @ 90µA 2.2V @ 28µA 2.2V @ 34µA 2.8V @ 143µA 2.2V @ 93µA 2V @ 25µA 4.9V @ 150µA 4V @ 20µA 4V @ 100µA 2.2V @ 30µA 3.7V @ 150µA 2.2V @ 196µA 4V @ 35µA 2.2V @ 58µA 3.3V @ 280µA 2.45V @ 1mA 2.2V @ 11µA 4V @ 140µA 4V @ 1.7mA
    栅极电荷
    19 nC @ 10 V 10 nC @ 4.5 V 23 nC @ 10 V 33.2 nC @ 10 V 7.5 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 163 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 9 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 29 nC @ 4.5 V 12 nC @ 10 V 108 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 4.1 nC @ 4.5 V 34 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 3.8 nC @ 10 V 34 nC @ 4.5 V 11 nC @ 10 V 79 nC @ 4.5 V 27 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 5.7nC @ 4.5V 9.6 nC @ 10 V 195 nC @ 10 V 290 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 91 nC @ 10 V 166 nC @ 4.5 V 151 nC @ 10 V 53nC @ 10V 35 nC @ 5 V 106 nC @ 10 V 85 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 29nC @ 10V 69 nC @ 10 V 255 nC @ 4.5 V 37.2 nC @ 10 V 6 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 9.7 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 287 nC @ 10 V 50 nC @ 4.5 V 65 nC @ 10 V 140 nC @ 4.5 V 52 nC @ 10 V 18 nC @ 5 V 210 nC @ 10 V 103 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V
    连续漏极电流
    150A（Tc） 8A（Tc） 100A（Tc） 32A（Tc） 30A（Tc） 60A（Tc） 35A（Tc） 52A（Tc） 53A（Tc） 20A（Tc） 47A（Tc） 80A（Tc） 440mA（Tc） 12A（Tc） 9A（Tc） 50A（Tc） 36A（Tc） 1.8A（Ta） 17A（Tc） 3.5A（Ta） 12A（Ta），49A（Tc） 2.7A（Ta），7.4A（Tc） 84A（Tc） 70A（Tc） 5.4A（Ta） 57A（Tc） 79A（Tc） 29A（Ta），155A（Tc） 14A（Ta），68A（Tc） 36A（Ta），235A（Tc） 90A（Tc） 5.3A（Tc） 110A（Tc） 4A（Ta），11A（Tc） 100A（Ta） 173A（Tc） 9.9A（Ta），50A（Tc） 8.83A（Ta） 195A（Tc） 75A（Tc） 170A（Tc） 6.7A（Tc） 8A（Ta），35A（Tc） 61A（Tc） 300A（Tc） 2.5A（Ta） 25A（Tc） 120A（Tc） 12A（Ta），36A（Tc） 14A（Ta），50A（Tc） 20A 29A（Ta），120A（Tc） 31A（Ta），164A（Tc）
    漏源电压： 60V
    工作温度： -55°C~175°C（TJ）
    当前匹配商品：200+
    重置
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06 起订2个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    包装规格(MPQ)：50psc

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FQP17P06

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：79W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：27 nC @ 10 V

    包装方式：管件

    输入电容：900 pF @ 25 V

    连续漏极电流：17A（Tc）

    类型：P 通道

    导通电阻：120 毫欧 @ 8.5A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0 起订2个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDD13AN06A0

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：115W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    栅极电荷：29 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：1350 pF @ 25 V

    连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06 起订2个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    包装规格(MPQ)：50psc

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FQP17P06

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：79W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    栅极电荷：27 nC @ 10 V

    包装方式：管件

    输入电容：900 pF @ 25 V

    连续漏极电流：17A（Tc）

    类型：P 通道

    导通电阻：120 毫欧 @ 8.5A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06 起订10个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    包装规格(MPQ)：50psc

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FQP17P06

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：79W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    栅极电荷：27 nC @ 10 V

    包装方式：管件

    输入电容：900 pF @ 25 V

    连续漏极电流：17A（Tc）

    类型：P 通道

    导通电阻：120 毫欧 @ 8.5A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD5612 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5612 起订2个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDD5612

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：3.8W（Ta），42W（Tc）

    阈值电压：3V @ 250µA

    栅极电荷：11 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：660 pF @ 30 V

    连续漏极电流：5.4A（Ta）

    类型：N 通道

    导通电阻：55 毫欧 @ 5.4A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 HUF76423P3 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76423P3 起订10个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    包装规格(MPQ)：50psc

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：HUF76423P3

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：85W（Tc）

    阈值电压：3V @ 250µA

    栅极电荷：34 nC @ 10 V

    包装方式：管件

    输入电容：1060 pF @ 25 V

    连续漏极电流：35A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：30 毫欧 @ 35A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 HUF76423P3 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76423P3 起订2个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    包装规格(MPQ)：50psc

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：HUF76423P3

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：85W（Tc）

    阈值电压：3V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：34 nC @ 10 V

    包装方式：管件

    输入电容：1060 pF @ 25 V

    连续漏极电流：35A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：30 毫欧 @ 35A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订数1000个

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：45W（Tc）

    阈值电压：2.5V @ 250µA

    栅极电荷：44 nC @ 10 V

    输入电容：2086 pF @ 30 V

    连续漏极电流：32A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：17 毫欧 @ 7.1A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订数500个

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：45W（Tc）

    阈值电压：2.5V @ 250µA

    栅极电荷：44 nC @ 10 V

    输入电容：2086 pF @ 30 V

    连续漏极电流：32A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：17 毫欧 @ 7.1A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0 起订10个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDD13AN06A0

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：115W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    栅极电荷：29 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：1350 pF @ 25 V

    连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0 起订100个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDD13AN06A0

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：115W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    栅极电荷：29 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：1350 pF @ 25 V

    连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0 起订2500个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDD13AN06A0

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：115W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    栅极电荷：29 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：1350 pF @ 25 V

    连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENEAR 起订数9000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENEAR 起订数9000个

    品牌：NEXPERIA

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

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    销售单位：个

    规格型号(MPN)：PMV37ENEAR

    工作温度：-55℃~175℃

    功率：710mW€8.3W

    阈值电压：2.7V@250µA

    栅极电荷：13nC@10V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：450pF@30V

    连续漏极电流：3.5A

    类型：N沟道

    导通电阻：49mΩ@3.5A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06 起订500个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    包装规格(MPQ)：50psc

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FQP17P06

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：79W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    栅极电荷：27 nC @ 10 V

    包装方式：管件

    输入电容：900 pF @ 25 V

    连续漏极电流：17A（Tc）

    类型：P 通道

    导通电阻：120 毫欧 @ 8.5A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06 起订2000个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    包装规格(MPQ)：50psc

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FQP17P06

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：79W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：27 nC @ 10 V

    包装方式：管件

    输入电容：900 pF @ 25 V

    连续漏极电流：17A（Tc）

    类型：P 通道

    导通电阻：120 毫欧 @ 8.5A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0 起订25个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDD13AN06A0

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：115W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    栅极电荷：29 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：1350 pF @ 25 V

    连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB3006PBF 起订数10个
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB3006PBF 起订数10个

    品牌：INFINEON

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：375W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    栅极电荷：300 nC @ 10 V

    输入电容：8970 pF @ 50 V

    连续漏极电流：195A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：2.5 毫欧 @ 170A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06 起订100个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    包装规格(MPQ)：50psc

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FQP17P06

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：79W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    栅极电荷：27 nC @ 10 V

    包装方式：管件

    输入电容：900 pF @ 25 V

    连续漏极电流：17A（Tc）

    类型：P 通道

    导通电阻：120 毫欧 @ 8.5A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_GE3 起订数1000个

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：83W（Tc）

    阈值电压：2.5V @ 250µA

    栅极电荷：108 nC @ 10 V

    输入电容：4586 pF @ 30 V

    连续漏极电流：52A（Tc）

    类型：P 通道

    导通电阻：18 毫欧 @ 3.5A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 HUF76423P3 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76423P3 起订100个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    包装规格(MPQ)：50psc

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：HUF76423P3

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：85W（Tc）

    阈值电压：3V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：34 nC @ 10 V

    包装方式：管件

    输入电容：1060 pF @ 25 V

    连续漏极电流：35A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：30 毫欧 @ 35A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDI030N06 起订数300个
    onsemi Mosfet场效应管 FDI030N06 起订数300个

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：231W（Tc）

    阈值电压：4.5V @ 250µA

    栅极电荷：151 nC @ 10 V

    输入电容：9815 pF @ 25 V

    连续漏极电流：120A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：3.2 毫欧 @ 75A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z14PBF-BE3 起订数50个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z14PBF-BE3 起订数50个

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：43W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    栅极电荷：12 nC @ 10 V

    输入电容：270 pF @ 25 V

    连续漏极电流：6.7A（Tc）

    类型：P 通道

    导通电阻：500 毫欧 @ 4A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06 起订1000个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    包装规格(MPQ)：50psc

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FQP17P06

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：79W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    栅极电荷：27 nC @ 10 V

    包装方式：管件

    输入电容：900 pF @ 25 V

    连续漏极电流：17A（Tc）

    类型：P 通道

    导通电阻：120 毫欧 @ 8.5A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDI030N06 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDI030N06 起订数500个

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：231W（Tc）

    阈值电压：4.5V @ 250µA

    栅极电荷：151 nC @ 10 V

    输入电容：9815 pF @ 25 V

    连续漏极电流：120A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：3.2 毫欧 @ 75A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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    ST Mosfet场效应管 STP20NF06 起订数75个
    ST Mosfet场效应管 STP20NF06 起订数75个

    品牌：ST

    分类：Mosfet场效应管

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    销售单位：个

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：60W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    栅极电荷：18 nC @ 10 V

    输入电容：400 pF @ 25 V

    连续漏极电流：20A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：70 毫欧 @ 10A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034E_GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034E_GE3 起订数500个

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

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    销售单位：个

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：150W（Tc）

    阈值电压：3.5V @ 250µA

    栅极电荷：90 nC @ 10 V

    输入电容：6600 pF @ 25 V

    连续漏极电流：100A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：3.9 毫欧 @ 20A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0 起订100个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

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    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDD13AN06A0

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：115W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：29 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：1350 pF @ 25 V

    连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0 起订1000个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDD13AN06A0

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：115W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：29 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：1350 pF @ 25 V

    连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0 起订100个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

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    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDD13AN06A0

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：115W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    栅极电荷：29 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：1350 pF @ 25 V

    连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z14PBF-BE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z14PBF-BE3 起订数100个

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

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    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：43W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    栅极电荷：12 nC @ 10 V

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    导通电阻：500 毫欧 @ 4A，10V

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