品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86520
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850 pF @ 30 V
连续漏极电流:14A(Ta),42A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.4 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86520
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850 pF @ 30 V
连续漏极电流:14A(Ta),42A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.4 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86520
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850 pF @ 30 V
连续漏极电流:14A(Ta),42A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.4 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMFTP5618
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:3V @ 1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:361 pF @ 30 V
连续漏极电流:1.25A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:170 毫欧 @ 1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMFTP5618
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:3V @ 1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:361 pF @ 30 V
连续漏极电流:1.25A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:170 毫欧 @ 1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMFTP5618
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:3V @ 1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:361 pF @ 30 V
连续漏极电流:1.25A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:170 毫欧 @ 1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138NH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@230mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86520
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850 pF @ 30 V
连续漏极电流:14A(Ta),42A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.4 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":12250,"23+":7200,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMFTP5618
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:3V @ 1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:361 pF @ 30 V
连续漏极电流:1.25A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:170 毫欧 @ 1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMFTP5618
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:3V @ 1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:361 pF @ 30 V
连续漏极电流:1.25A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:170 毫欧 @ 1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":6000,"22+":1572}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86520
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850 pF @ 30 V
连续漏极电流:14A(Ta),42A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:7.4 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
栅极电荷:0.9 nC @ 4.5 V
输入电容:64 pF @ 25 V
连续漏极电流:320mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:2 欧姆 @ 100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86540
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),127W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6340 pF @ 30 V
连续漏极电流:21.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.1 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.7W(Ta),20.8W(Tc)
阈值电压:2V @ 250µA
栅极电荷:19 nC @ 10 V
输入电容:450 pF @ 25 V
连续漏极电流:8.2A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:155 毫欧 @ 5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5353
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),69W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:65 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3215 pF @ 30 V
连续漏极电流:11.5A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:12.3 毫欧 @ 10.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:300mW(Ta)
阈值电压:3V @ 1mA
输入电容:40 pF @ 10 V
连续漏极电流:500mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:5 欧姆 @ 200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: