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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9407EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@30V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N06S4L12ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2890pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ465EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V，1.17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ465EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V，1.17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9407EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@30V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N06S4L12ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2890pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9407EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@30V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9407EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@30V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ465EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V，1.17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ465EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V，1.17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ465EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V，1.17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N06S4L12ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2890pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9407EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@30V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9407EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@30V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N06S4L12ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2890pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9407EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@30V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9407EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@30V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9407EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@30V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9407EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@30V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9407EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@30V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N06S4L12ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2890pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9407EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@30V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500，"23+"：29429，"24+"：3173，"MI+"：6348}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N06S4L12ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2890pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9407EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@30V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19P06-60L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.7W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9407EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@30V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9407EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@30V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ465EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V，1.17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD19P06-60L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.7W€46W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N06S4L12ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2890pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
