品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS4D1N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:2V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34STRRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€88W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18533KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:192W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3025pF@30V
连续漏极电流:72A€100A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":576,"21+":4097,"22+":5247}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5810-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:72W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@25V
连续漏极电流:7.4A€37A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4130
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€52W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@30V
连续漏极电流:6.5A€30A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI9Z34GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@7.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4130
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€52W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@30V
连续漏极电流:6.5A€30A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":174,"23+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C645NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":174,"23+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C645NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4130
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€52W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@30V
连续漏极电流:6.5A€30A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€88W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C628NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:4V@135µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2630pF@30V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@27A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI9Z34GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@7.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI9Z34GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@7.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€88W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":576,"21+":4097,"22+":5247}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5810-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:72W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@25V
连续漏极电流:7.4A€37A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4130
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€52W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@30V
连续漏极电流:6.5A€30A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI9Z34GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@7.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: