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    漏源电压: 60V
    工作温度: -55℃~175℃
    行业应用: 工业
    栅极电荷: 34nC@10V
    当前匹配商品:100+
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    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS4D1N06CLTWG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS4D1N06CLTWG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS4D1N06CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€79W

    阈值电压:2V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:22A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34STRRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€88W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18533KCS 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18533KCS 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18533KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:192W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3025pF@30V

    连续漏极电流:72A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5810-F085 起订798个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5810-F085 起订798个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":576,"21+":4097,"22+":5247}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5810-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:72W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1890pF@25V

    连续漏极电流:7.4A€37A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@32A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34SPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34SPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34SPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€88W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD4130 起订6个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD4130 起订6个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD4130

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€52W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@30V

    连续漏极电流:6.5A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9Z34GPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9Z34GPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI9Z34GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD4130 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD4130 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD4130

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€52W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@30V

    连续漏极电流:6.5A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NLT1G 起订286个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NLT1G 起订286个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":174,"23+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C645NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€79W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@50V

    连续漏极电流:22A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NLT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NLT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":174,"23+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C645NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€79W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@50V

    连续漏极电流:22A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD4130 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD4130 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD4130

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€52W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@30V

    连续漏极电流:6.5A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34PBF-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34PBF-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34PBF-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRLPBF 起订1600个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRLPBF 起订1600个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€88W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34PBF-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34PBF-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34PBF-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C628NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C628NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C628NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€110W

    阈值电压:4V@135µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2630pF@30V

    连续漏极电流:28A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@27A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9Z34GPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9Z34GPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI9Z34GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34PBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34PBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9Z34GPBF 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9Z34GPBF 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI9Z34GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRLPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRLPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€88W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5810-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5810-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":576,"21+":4097,"22+":5247}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5810-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:72W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1890pF@25V

    连续漏极电流:7.4A€37A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@32A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34PBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34PBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    AOS Mosfet场效应管 AOD4130 起订30个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD4130 起订30个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD4130

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€52W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@30V

    连续漏极电流:6.5A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9Z34GPBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9Z34GPBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI9Z34GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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