品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ960EL-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:63A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ960EL-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:63A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ960EL-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:63A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ960EL-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:63A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1701}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5864NG
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1701}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5864NG
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@20A,10V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ960EL-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
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连续漏极电流:63A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9mΩ@10A,10V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ960EL-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ960EL-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
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类型:2N沟道(双)
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ960EL-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ960EL-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:63A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ960EL-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:63A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5864NG
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ960EL-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:9mΩ@10A,10V
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:63A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ960EL-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:63A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":1701}
规格型号(MPN):NTP5864NG
功率:107W
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
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连续漏极电流:63A
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ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":1701}
规格型号(MPN):NTP5864NG
功率:107W
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:31nC@10V
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阈值电压:4V@250µA
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:63A
导通电阻:12.4mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ960EL-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
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连续漏极电流:63A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9mΩ@10A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5864NG
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
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连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@20A,10V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ960EL-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:63A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9mΩ@10A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5864NG
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ960EL-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:63A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ960EL-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
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连续漏极电流:63A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1701}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5864NG
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:63A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ960EL-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:63A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ960EL-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:63A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: