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    漏源电压: 60V
    工作温度: -55℃~175℃
    行业应用: 工业
    连续漏极电流: 22A
    当前匹配商品:100+
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    onsemi Mosfet场效应管 SVD5867NLT4G 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 SVD5867NLT4G 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SVD5867NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€43W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:39mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K35-60E,115 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K35-60E,115 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K35-60E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:2.1V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1081pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:32mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y43-60E,115 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y43-60E,115 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y43-60E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M42-60EX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M42-60EX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M42-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:867pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M42-60EX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M42-60EX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M42-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:867pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M42-60EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M42-60EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M42-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:867pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@1.04mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y43-60E,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y43-60E,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y43-60E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M42-60EX 起订200个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M42-60EX 起订200个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M42-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:8.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:867pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@1.04mA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@1.04mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SVD5867NLT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 SVD5867NLT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SVD5867NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€43W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:39mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M42-60EX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M42-60EX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M42-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:867pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@1.04mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M42-60EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M42-60EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M42-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:867pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@1.04mA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M42-60EX 起订50个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M42-60EX 起订50个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M42-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:8.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:867pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M42-60EX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M42-60EX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M42-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:867pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y43-60E,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y43-60E,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y43-60E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:8.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SVD5867NLT4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 SVD5867NLT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SVD5867NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€43W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:39mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@1.04mA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K35-60E,115 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K35-60E,115 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":315000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K35-60E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1081pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:32mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M42-60EX 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M42-60EX 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M42-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:867pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K35-60E,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K35-60E,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K35-60E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:2.1V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1081pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:32mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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