采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SFGQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：6.1A€18A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVC3S5A51PLZT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：262pF@20V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：250mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：5.7A€24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：5.7A€24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SFGQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：6.1A€18A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：5.7A€24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SFGQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：6.1A€18A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SFGQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：6.1A€18A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SFGQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：6.1A€18A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SFGQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：6.1A€18A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：5.7A€24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SFGQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：6.1A€18A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：5.7A€24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：5.7A€24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SFGQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：6.1A€18A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SFGQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：6.1A€18A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SFGQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：6.1A€18A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SFGQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：6.1A€18A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SFGQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：6.1A€18A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K341R，LF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SFGQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：6.1A€18A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SFGQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：6.1A€18A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：5.7A€24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SFGQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：6.1A€18A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：5.7A€24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SFGQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：6.1A€18A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SFGQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：6.1A€18A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SFGQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：6.1A€18A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SFGQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：6.1A€18A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SFGQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：6.1A€18A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
