采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138PW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1LFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：230mW
阈值电压：1V@250A
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84KDW-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：320mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：6Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@320mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2V7002KT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002HSX
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：320mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BKS，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：445mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：320mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@320mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0606N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：P沟道
导通电阻：3.5Ω@750mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@320mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BKS，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：445mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：320mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@320mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BKS，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：445mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：320mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@320mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：230mW
阈值电压：1V@250A
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@320mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0606N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：P沟道
导通电阻：3.5Ω@750mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002HSX
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：320mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BKS，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：445mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：320mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@320mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0606N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：P沟道
导通电阻：3.5Ω@750mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KT7G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@320mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BKS，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：445mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：320mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@320mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@320mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138PW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
