采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP3306FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@18V
连续漏极电流：90mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP3306A
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：散装
输入电容：50pF@18V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：散装
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP3306FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@18V
连续漏极电流：90mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP3306FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@18V
连续漏极电流：90mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP3306FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@18V
连续漏极电流：90mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：散装
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP3306FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@18V
连续漏极电流：90mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP3306A
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：散装
输入电容：50pF@18V
连续漏极电流：160mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：450mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVP2106A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：散装
输入电容：100pF@18V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
