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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10KN3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2N7002KQ-13
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功率：370mW
阈值电压：2.5V@1mA
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栅极电荷：0.3nC@4.5V
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输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2N7002KQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@1mA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2N7002KQ-13
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功率：370mW
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输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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功率：370mW
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输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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阈值电压：2.5V@1mA
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类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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阈值电压：2.5V@1mA
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输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：VN10KN3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
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输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：2N7002KQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@1mA
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栅极电荷：0.3nC@4.5V
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输入电容：50pF@25V
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类型：N沟道
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品牌：Microchip
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规格型号(MPN)：VN10KN3-G-P002
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功率：1W
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连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2N7002KQ-13
栅极电荷：0.3nC@4.5V
导通电阻：2Ω@500mA，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
功率：370mW
阈值电压：2.5V@1mA
连续漏极电流：310mA
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规格型号(MPN)：2N7002KQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@1mA
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栅极电荷：0.3nC@4.5V
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输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2N7002KQ-13
栅极电荷：0.3nC@4.5V
导通电阻：2Ω@500mA，10V
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类型：N沟道
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
功率：370mW
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连续漏极电流：310mA
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类型：N沟道
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漏源电压：60V
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类型：N沟道
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功率：1W
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导通电阻：2Ω@500mA，10V
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行业应用：工业,汽车
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功率：370mW
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ECCN：EAR99
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输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：0.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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