采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18541F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：777pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7246E
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：13.2mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6266E
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：13.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18541F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：777pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7262E
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€43W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@30V
连续漏极电流：21A€34A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4266E
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6262E
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD62666E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18541F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：777pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18541F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：777pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18541F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：777pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18541F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：777pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18541F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：777pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD62666E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7262E
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€43W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@30V
连续漏极电流：21A€34A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD62666E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7262E
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€43W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@30V
连续漏极电流：21A€34A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4262E
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1652pF@30V
连续漏极电流：16.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@16.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4262E
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1652pF@30V
连续漏极电流：16.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@16.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18541F5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：777pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6266E
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：13.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18541F5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：777pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
