采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM680P06DPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06DPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06DPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06DPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06DPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06DPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06DPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06DPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06DPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06DPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06DPQ56 RLG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：68mΩ@6A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：12A
漏源电压：60V
类型：2个P沟道（双）
功率：3.5W
输入电容：870pF@30V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06DPQ56 RLG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：68mΩ@6A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：12A
漏源电压：60V
类型：2个P沟道（双）
功率：3.5W
输入电容：870pF@30V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1025X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16DN8QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDC7003P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：66pF@25V
连续漏极电流：340mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5Ω@340mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1025X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84KDW-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：320mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：6Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8J31GZETB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
