采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4306A
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP75DP06LMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：2V@77µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@30V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3600，"23+"：39000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4306AV
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP75DP06LMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：2V@77µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@30V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP75DP06LMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：2V@77µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@30V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4306A
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4306A
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4306AV
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4306A
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4306A
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4306A
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP75DP06LMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：2V@77µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@30V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP75DP06LMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：2V@77µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@30V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3600，"23+"：39000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4306AV
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
