采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM170N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：73.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1556pF@30V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM170N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：73.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1556pF@30V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：TSM170N06PQ56 RLG
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功率：73.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1556pF@30V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM170N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：73.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1556pF@30V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM170N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：73.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1556pF@30V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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功率：73.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1556pF@30V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM170N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：73.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1556pF@30V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM170N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：73.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
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输入电容：1556pF@30V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
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输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
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输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM170N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：73.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
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输入电容：1556pF@30V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM170N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：73.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1556pF@30V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
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输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM170N06PQ56 RLG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：29nC@10V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：44A
导通电阻：17mΩ@8A，10V
输入电容：1556pF@30V
功率：73.5W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
功率：83W
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：28nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：1680pF@20V
漏源电压：60V
连续漏极电流：44A
导通电阻：23mΩ@20A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM170N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：73.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1556pF@30V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM170N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：73.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1556pF@30V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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