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    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNTL1 起订6个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNTL1 起订6个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L150SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订181个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订181个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):181psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8260L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:5245pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7478DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7478DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7478DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD88539ND 起订9个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88539ND 起订9个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88539ND

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:741pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:28mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD88537ND 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88537ND 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88537ND

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD88539NDT 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88539NDT 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88539NDT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:741pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:28mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7478DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7478DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7478DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD88537ND 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88537ND 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88537ND

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD88537NDT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88537NDT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88537NDT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNTL1 起订20个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNTL1 起订20个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L150SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNTL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNTL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L150SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD88537NDT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88537NDT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88537NDT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNTL1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNTL1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L150SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD88539NDT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88539NDT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88539NDT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:741pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:28mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD88537ND 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88537ND 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88537ND

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD88537NDT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88537NDT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88537NDT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD88537ND 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88537ND 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88537ND

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD88539NDT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88539NDT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88539NDT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:741pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:28mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD88539NDT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88539NDT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88539NDT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:741pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:28mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7478DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7478DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7478DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD88539NDT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88539NDT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88539NDT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:741pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:28mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD88537ND 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88537ND 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88537ND

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD88537NDT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88537NDT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88537NDT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":117113,"22+":852}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8260L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5245pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD88539ND 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88539ND 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88539ND

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:741pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:28mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNTL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNTL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L150SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNTL1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNTL1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L150SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7478DP-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7478DP-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7478DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":117113,"22+":852}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8260L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5245pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD88539ND 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88539ND 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88539ND

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:741pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:28mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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