品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€166W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.66nF@25V
连续漏极电流:36A€235A
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€166W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.66nF@25V
连续漏极电流:36A€235A
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LT-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:400pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:24pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":6557}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€166W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.66nF@25V
连续漏极电流:36A€235A
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€166W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.66nF@25V
连续漏极电流:36A€235A
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€166W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.66nF@25V
连续漏极电流:36A€235A
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€166W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.66nF@25V
连续漏极电流:36A€235A
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:370mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:870pC@10V
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€166W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.66nF@25V
连续漏极电流:36A€235A
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":6557}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€166W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.66nF@25V
连续漏极电流:36A€235A
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€166W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.66nF@25V
连续漏极电流:36A€235A
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):S-L2N7002SLT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:440pC@4.5V
输入电容:35pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:5pF@25V
导通电阻:2.8Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):S-L2N7002SLT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:440pC@4.5V
输入电容:35pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:5pF@25V
导通电阻:2.8Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT6568J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:50nC@Vgs=10V
输入电容:1.92nF@Vds=25V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:116pF@Vds=25V
导通电阻:56mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€166W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.66nF@25V
连续漏极电流:36A€235A
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€166W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.66nF@25V
连续漏极电流:36A€235A
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€166W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.66nF@25V
连续漏极电流:36A€235A
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:370mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:870pC@10V
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:400pC@4.5V
输入电容:24pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D4LDW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:330mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:1.04nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@30V
连续漏极电流:261mA
类型:2个N沟道
导通电阻:3Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LT-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:400pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:24pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:370mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:870pC@10V
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:400pC@4.5V
输入电容:24pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€166W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.66nF@25V
连续漏极电流:36A€235A
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D4LDW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:330mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:1.04nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@30V
连续漏极电流:261mA
类型:2个N沟道
导通电阻:3Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€166W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.66nF@25V
连续漏极电流:36A€235A
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:370mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:870pC@10V
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":6557}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€166W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.66nF@25V
连续漏极电流:36A€235A
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:400pC@4.5V
输入电容:24pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMFTN6001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:530mW
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.3pF@25V
连续漏极电流:440mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: