采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000BU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26μA
栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：8，"22+"：34970}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000BU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26μA
栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000BU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000BU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000BU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000BU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002N H6433
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V
栅极电荷：1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：200mA
类型：MOSFET
导通电阻：5Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002N H6433
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V
栅极电荷：1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：200mA
类型：MOSFET
导通电阻：5Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：8，"22+"：34970}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000BU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002N H6433
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V
栅极电荷：1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：200mA
类型：MOSFET
导通电阻：5Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26μA
栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26μA
栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000BU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000BU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002N H6433
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V
栅极电荷：1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：200mA
类型：MOSFET
导通电阻：5Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26μA
栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26μA
漏源电压：60V
连续漏极电流：200mA
栅极电荷：900pC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：32pF@30V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26μA
漏源电压：60V
连续漏极电流：200mA
栅极电荷：900pC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：32pF@30V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000BU
功率：400mW
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
