采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：17+
包装规格(MPQ)：9000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS83P H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2V
栅极电荷：2.38nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：330mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.4Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：17+
包装规格(MPQ)：9000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS83P H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2V
栅极电荷：2.38nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：330mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.4Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
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输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
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功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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包装方式：Reel
功率：360mW
栅极电荷：2.38nC
阈值电压：2V
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：1.4Ω
连续漏极电流：330mA
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：600pC@4.5V
连续漏极电流：330mA
包装清单：商品主体 * 1
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