销售单位：个

规格型号(MPN)：PJC7439-AU_R1_000A1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.1nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：51pF@25V

连续漏极电流：250mA

类型：1个P沟道

导通电阻：4Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PJC7439-AU_R1_000A1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.1nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：51pF@25V

连续漏极电流：250mA

类型：1个P沟道

导通电阻：4Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PJC7439-AU_R1_000A1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.1nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：51pF@25V

连续漏极电流：250mA

类型：1个P沟道

导通电阻：4Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PJC7439-AU_R1_000A1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.1nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：51pF@25V

连续漏极电流：250mA

类型：1个P沟道

导通电阻：4Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PJC7439-AU_R1_000A1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.1nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：51pF@25V

连续漏极电流：250mA

类型：1个P沟道

导通电阻：4Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PJC7439-AU_R1_000A1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.1nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：51pF@25V

连续漏极电流：250mA

类型：1个P沟道

导通电阻：4Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBT7002KDW

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：440pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：300mA

类型：MOSFET

导通电阻：3Ω

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002KHE3-TP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：2.5V@1mA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：40pF@10V

连续漏极电流：340mA

类型：1个N沟道

导通电阻：2.5Ω@300mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBT7002KDW

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：440pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：300mA

类型：MOSFET

导通电阻：3Ω

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBT7002KDW

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：440pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：300mA

类型：MOSFET

导通电阻：3Ω

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002K

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：2.5V@1mA

输入电容：40pF@10V

连续漏极电流：340mA

类型：1个N沟道

反向传输电容：10pF@10V

导通电阻：900mΩ@10V，500mA

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PJC7439-AU_R1_000A1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.1nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：51pF@25V

连续漏极电流：250mA

类型：1个P沟道

导通电阻：4Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002KHE3-TP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：2.5V@1mA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：40pF@10V

连续漏极电流：340mA

类型：1个N沟道

导通电阻：2.5Ω@300mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PJC7439-AU_R1_000A1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.1nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：51pF@25V

连续漏极电流：250mA

类型：1个P沟道

导通电阻：4Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PJC7439-AU_R1_000A1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.1nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：51pF@25V

连续漏极电流：250mA

类型：1个P沟道

导通电阻：4Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PJC7439-AU_R1_000A1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.1nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：51pF@25V

连续漏极电流：250mA

类型：1个P沟道

导通电阻：4Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBT7002KDW

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：440pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：300mA

类型：MOSFET

导通电阻：3Ω

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBT7002KDW-AQ

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：440pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：300mA

类型：MOSFET

导通电阻：3Ω

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBT7002KDW

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：440pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：300mA

类型：MOSFET

导通电阻：3Ω

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBT7002KDW-AQ

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：440pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：300mA

类型：MOSFET

导通电阻：3Ω

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBT7002KDW-AQ

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：440pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：300mA

类型：MOSFET

导通电阻：3Ω

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002KHE3-TP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：2.5V@1mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：40pF@10V

连续漏极电流：340mA

类型：1个N沟道

导通电阻：2.5Ω@300mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBT7002KDW

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：440pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：300mA

类型：MOSFET

导通电阻：3Ω

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002KHE3-TP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：2.5V@1mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：40pF@10V

连续漏极电流：340mA

类型：1个N沟道

导通电阻：2.5Ω@300mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBT7002KDW-AQ

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1.1V

栅极电荷：440pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：300mA

类型：MOSFET

导通电阻：3Ω

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002KHE3-TP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：2.5V@1mA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：40pF@10V

连续漏极电流：340mA

类型：1个N沟道

导通电阻：2.5Ω@300mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002KHE3-TP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：2.5V@1mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：40pF@10V

连续漏极电流：340mA

类型：1个N沟道

导通电阻：2.5Ω@300mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N7002KHE3-TP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：2.5V@1mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

输入电容：40pF@10V

连续漏极电流：340mA

类型：1个N沟道

导通电阻：2.5Ω@300mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBT7002KDW-AQ

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1.1V

栅极电荷：440pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：300mA

类型：MOSFET

导通电阻：3Ω

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBT7002KDW-AQ

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：440pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：300mA

类型：MOSFET

导通电阻：3Ω

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1