采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：450pC@4.5V
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：440mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
输入电容：28.5pF@30V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：550pC@4.5V
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：340mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.58nF@30V
连续漏极电流：6.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@10V，3.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4.5V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：440mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
输入电容：28.5pF@30V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：17.7nC@10V
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，2.3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：550pC@4.5V
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：450pC@4.5V
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1LFD-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：550pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.58nF@30V
连续漏极电流：6.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@10V，3.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：550pC@4.5V
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：550pC@4.5V
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4.5V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：450pC@4.5V
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：440mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
输入电容：28.5pF@30V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：440mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
输入电容：28.5pF@30V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：17.7nC@10V
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：125mΩ@10V，2.3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.58nF@30V
连续漏极电流：6.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@10V，3.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4.5V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：450pC@4.5V
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4.5V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08GTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：3.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：470mW
导通电阻：2Ω@4V，100mA
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：1V@250μA
输入电容：32pF@25V
栅极电荷：450pC@4.5V
连续漏极电流：100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：28.5pF@30V
连续漏极电流：400mA
导通电阻：2Ω@50mA，5V
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：400pC@4.5V
类型：1个N沟道
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：60V
功率：440mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：28.5pF@30V
连续漏极电流：400mA
导通电阻：2Ω@50mA，5V
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：400pC@4.5V
类型：1个N沟道
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：60V
功率：440mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
导通电阻：2Ω@4V，100mA
功率：500mW
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：60V
栅极电荷：550pC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
