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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：800pC@4.5V
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT088N06T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：75W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.62nF@30V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT088N06T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：75W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.62nF@30V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
反向传输电容：54pF@25V
导通电阻：8.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT088N06T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：75W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.62nF@30V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G06N06S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：1.6nF@30V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2315
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002P，215
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2351
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002PW，115
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260mW
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2351
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002PW，115
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260mW
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2351
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002PW，115
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260mW
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2315
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002P，215
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260mW
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：800pC@4.5V
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260mW
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：800pC@4.5V
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ250DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@30V€840pF@30V
连续漏极电流：14A€38A
类型：2个N沟道
导通电阻：12.2mΩ@10A，10V€12.7mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2351
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002PW，115
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260mW
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT088N06T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：75W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.62nF@30V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT088N06T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：75W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.62nF@30V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：2.4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：310mA
功率：260mW
漏源电压：60V
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
栅极电荷：800pC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2351
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002PW，115
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
功率：260mW
漏源电压：60V
栅极电荷：800pC@4.5V
阈值电压：2.4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：310mA
ECCN：EAR99
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
