采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU014PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W€2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU014PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W€2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€22.3W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.235nF@30V
连续漏极电流：15.8A€39.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS4604DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€33.7W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：960pF@30V
连续漏极电流：14.6A€44.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€22.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.235nF@30V
连续漏极电流：15.8A€39.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.77nF@30V
连续漏极电流：40.4A€165A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.75mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€22.3W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.235nF@30V
连续漏极电流：15.8A€39.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€22.3W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.235nF@30V
连续漏极电流：15.8A€39.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS4604DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€33.7W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：960pF@30V
连续漏极电流：14.6A€44.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.66W€1.09W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：6.8nC@10V
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：1.9A€2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS4604DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€33.7W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：960pF@30V
连续漏极电流：14.6A€44.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU014PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W€2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW€510mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@10V
输入电容：18.5pF@30V
连续漏极电流：370mA€340mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.4Ω@340mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.77nF@30V
连续漏极电流：40.4A€165A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.75mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：1.7nC@15V
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：185mA
类型：1个P沟道
导通电阻：6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.09W€1.66W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：6.8nC@10V
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@10V，1.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：69.4W
阈值电压：3.6V@250μA
栅极电荷：64nC@10V
输入电容：3.25nF@30V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@10V，15A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.77nF@30V
连续漏极电流：40.4A€165A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.75mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW€510mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@10V
输入电容：18.5pF@30V
连续漏极电流：370mA€340mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.4Ω@340mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€22.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.235nF@30V
连续漏极电流：15.8A€39.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.77nF@30V
连续漏极电流：40.4A€165A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.75mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€27.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：905pF@30V
连续漏极电流：12.6A€36.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU014PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W€2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€22.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.235nF@30V
连续漏极电流：15.8A€39.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.77nF@30V
连续漏极电流：40.4A€165A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.75mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.66W€1.09W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：6.8nC@10V
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：1.9A€2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.77nF@30V
连续漏极电流：40.4A€165A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.75mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€22.3W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.235nF@30V
连续漏极电流：15.8A€39.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
