品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N7002KFU,LF
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:40pF@10V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:2.1V@250µA
功率:285mW
ECCN:EAR99
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N7002KFU,LXH
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:40pF@10V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:2.1V@250µA
功率:285mW
ECCN:EAR99
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHK003N06FRAT146
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:1Ω@300mA,10V
功率:200mW
栅极电荷:6nC@10V
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:33pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP262N7002TR-G
连续漏极电流:300mA
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2.1V@250µA
导通电阻:1.6Ω@100mA,10V
输入电容:30pF@20V
栅极电荷:0.72nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
连续漏极电流:300mA
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
栅极电荷:0.6nC@4.5V
输入电容:40pF@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002BKSH
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
漏源电压:60V
类型:2个N沟道
阈值电压:2.1V@250µA
功率:295mW€1.04W
输入电容:50pF@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N7002KFU,LXH
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:40pF@10V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:2.1V@250µA
功率:285mW
ECCN:EAR99
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N7002KFU,LF
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:40pF@10V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:2.1V@250µA
功率:285mW
ECCN:EAR99
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002BKS,115
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
功率:295mW
工作温度:150℃
输入电容:50pF@10V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002BKSH
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
漏源电压:60V
类型:2个N沟道
阈值电压:2.1V@250µA
功率:295mW€1.04W
输入电容:50pF@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002CK,215
功率:350mW
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:1.3nC@4.5V
输入电容:55pF@25V
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF
连续漏极电流:300mA
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
栅极电荷:0.6nC@4.5V
输入电容:40pF@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N7002KFU,LXH
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:40pF@10V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:2.1V@250µA
功率:285mW
ECCN:EAR99
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RK7002AT116
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:1Ω@300mA,10V
功率:200mW
栅极电荷:6nC@10V
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:33pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RK7002AT116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N7002KFU,LF
工作温度:150℃
功率:285mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHK003N06T146
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: