品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K17-60E,115
工作温度:-55℃~+175℃
功率:53W
阈值电压:1.7V@1mA
栅极电荷:16.5nC@5V
输入电容:1.667nF@25V
连续漏极电流:26A
类型:2个N沟道
反向传输电容:91pF@25V
导通电阻:14mΩ@5V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5744}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:32nC@10V
输入电容:2.127nF@25V
连续漏极电流:7.1A€22.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K35-60RAX
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:7.8nC@5V
输入电容:1.081nF@25V
连续漏极电流:22A
类型:2个N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K35-60RAX
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:7.8nC@5V
输入电容:1.081nF@25V
连续漏极电流:22A
类型:2个N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:32nC@10V
输入电容:2.127nF@25V
连续漏极电流:7.1A€22.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:32nC@10V
输入电容:2.127nF@25V
连续漏极电流:7.1A€22.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K35-60RAX
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:7.8nC@5V
输入电容:1.081nF@25V
连续漏极电流:22A
类型:2个N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K17-60E,115
工作温度:-55℃~+175℃
功率:53W
阈值电压:1.7V@1mA
栅极电荷:16.5nC@5V
输入电容:1.667nF@25V
连续漏极电流:26A
类型:2个N沟道
反向传输电容:91pF@25V
导通电阻:14mΩ@5V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5744}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:32A
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
栅极电荷:6.9nC@10V
漏源电压:60V
输入电容:489pF@30V
功率:36W
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K35-60RAX
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:7.8nC@5V
输入电容:1.081nF@25V
连续漏极电流:22A
类型:2个N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K35-60RAX
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:7.8nC@5V
输入电容:1.081nF@25V
工作温度:-55℃~+175℃
漏源电压:60V
导通电阻:32mΩ@5A,10V
连续漏极电流:22A
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K35-60RAX
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:7.8nC@5V
输入电容:1.081nF@25V
连续漏极电流:22A
类型:2个N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K35-60RAX
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:7.8nC@5V
输入电容:1.081nF@25V
连续漏极电流:22A
类型:2个N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.7W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:25nC@10V
输入电容:840pF@30V
连续漏极电流:6.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:41mΩ@10V,5.3A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5744}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD016N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:36W
阈值电压:4V@25μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:489pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:2个N沟道
反向传输电容:5.7pF@30V
导通电阻:13.6mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.7W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:25nC@10V
输入电容:840pF@30V
连续漏极电流:6.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:41mΩ@10V,5.3A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.7W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:25nC@10V
输入电容:840pF@30V
连续漏极电流:6.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:41mΩ@10V,5.3A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:33W
阈值电压:2.2V@10μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:1.43nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:26mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.7W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:25nC@10V
输入电容:840pF@30V
连续漏极电流:6.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:41mΩ@10V,5.3A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: