包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：23mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：23mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：1.75mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：1.75mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：23mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：23mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：23mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS160ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：47nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：141A

类型：MOSFET

导通电阻：6mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS160ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：47nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：141A

类型：MOSFET

导通电阻：6mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS160ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：47nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：141A

类型：MOSFET

导通电阻：6mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：1.75mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS180ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：47nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：141A

类型：MOSFET

导通电阻：4.3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUP50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUP50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS160ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：47nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：141A

类型：MOSFET

导通电阻：6mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：23mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS160ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：47nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：141A

类型：MOSFET

导通电阻：6mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS180ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：47nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：141A

类型：MOSFET

导通电阻：4.3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS180ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：47nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：141A

类型：MOSFET

导通电阻：4.3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：1.75mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQ4470EY-T1_BE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：7.1W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：68nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：10mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

阈值电压：2.5V

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

导通电阻：23mΩ

栅极电荷：8.9nC

漏源电压：60V

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

ECCN：EAR99

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

阈值电压：2.5V

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

导通电阻：23mΩ

栅极电荷：8.9nC

漏源电压：60V

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

ECCN：EAR99

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

阈值电压：2.5V

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

导通电阻：23mΩ

栅极电荷：8.9nC

漏源电压：60V

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

ECCN：EAR99

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFZ44RPBF-BE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：67nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：50A

类型：MOSFET

导通电阻：28mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUP50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：23mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFZ44RPBF-BE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：67nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：50A

类型：MOSFET

导通电阻：28mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB00EP-T1_BE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：48W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：20nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：13mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：23mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1