品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD10N30-330H_4GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2190pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN30H4D0LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:7.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:187.3pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@300mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD10N30-330H_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4.4V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2190pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD10N30-330H_4GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2190pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD10N30-330H_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2190pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2130K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:85mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,4.5V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB38N30U
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3340pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@19A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN30H4D0L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:187.3pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@300mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN30H4D0L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:187.3pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@300mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN30H4D0L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:187.3pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@300mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD10N30-330H_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2190pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN30H4D0L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:187.3pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@300mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN30H4D0L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:187.3pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@300mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP230,135
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.55V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:90pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:P沟道
导通电阻:17Ω@170mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN30H4D0L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:187.3pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@300mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD10N30-330H_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2190pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2530N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@150mA,0V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC13DN30NSFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@150V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@16A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC13DN30NSFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@150V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@16A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN30H4D0L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:187.3pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@300mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN30H4D0LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:187.3pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@300mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC13DN30NSFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@150V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@16A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN30H4D0LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:7.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:187.3pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@300mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NF30
工作温度:-55℃~175℃
功率:103W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2130K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:85mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,4.5V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3480,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC13DN30NSFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@150V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@16A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存: