品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFB210N30P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1890W
阈值电压:5V@8mA
栅极电荷:268nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:16200pF@25V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@105A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK88N30P
工作温度:-55℃~150℃
功率:600W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:盒
输入电容:6300pF@25V
连续漏极电流:88A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@44A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN140N30P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700W
阈值电压:5V@8mA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14800pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@70A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFA72N30X3
工作温度:-55℃~150℃
功率:390W
阈值电压:4.5V@1.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:72A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@36A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN140N30P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700W
阈值电压:5V@8mA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14800pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@70A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFA36N30P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:347W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:2040pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@18A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN30H4D0LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:7.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:187.3pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@300mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN140N30P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700W
阈值电压:5V@8mA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14800pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@70A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTK102N30P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700W
阈值电压:5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:224nC@10V
输入电容:7500pF@25V
连续漏极电流:102A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@500mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFR140N30P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@8mA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:14800pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@70A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH50N30Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:690W
阈值电压:6.5V@4mA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3160pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@25A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2530N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
包装方式:袋
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:175mA
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@150mA,0V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA59N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@29.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFA26N30X3
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1465pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@13A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2250,"MI+":1350}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA38N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:290W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4400pF@25V
连续漏极电流:38.4A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@19.2A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):20psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MMIX1F160N30T
工作温度:-55℃~150℃
功率:570W
阈值电压:5V@8mA
栅极电荷:335nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:102A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@60A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP38N30X3M
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:2440pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH52N30P
工作温度:-55℃~150℃
功率:400W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3490pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@500mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA38N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:290W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4400pF@25V
连续漏极电流:38.4A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@19.2A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2130K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:85mA
类型:N沟道
导通电阻:25Ω@120mA,4.5V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB38N30U
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3340pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@19A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN30H4D0L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:187.3pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@300mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN30H4D0L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:187.3pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@300mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN30H4D0L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:187.3pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@300mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH120N30X3
工作温度:-55℃~150℃
功率:735W
阈值电压:4.5V@4mA
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10500pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@60A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN30H4D0L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:187.3pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@300mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"9999":374}
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA44N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@25V
连续漏极电流:43.5A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@21.75A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH72N30X3
工作温度:-55℃~150℃
功率:390W
阈值电压:4.5V@1.5mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:72A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@36A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN30H4D0L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:187.3pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@300mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存: