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    IXYS Mosfet场效应管 IXFB210N30P3 起订25个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFB210N30P3 起订25个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFB210N30P3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1890W

    阈值电压:5V@8mA

    栅极电荷:268nC@10V

    包装方式:Tube

    输入电容:16200pF@25V

    连续漏极电流:210A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@105A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK88N30P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK88N30P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFK88N30P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:

    输入电容:6300pF@25V

    连续漏极电流:88A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@44A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN140N30P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN140N30P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFN140N30P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700W

    阈值电压:5V@8mA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14800pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@70A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFA72N30X3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFA72N30X3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFA72N30X3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390W

    阈值电压:4.5V@1.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5400pF@25V

    连续漏极电流:72A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@36A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN140N30P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN140N30P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFN140N30P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700W

    阈值电压:5V@8mA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14800pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@70A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFA36N30P3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFA36N30P3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFA36N30P3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:347W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    输入电容:2040pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@18A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0LFDE-7 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0LFDE-7 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:550mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN140N30P 起订10个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN140N30P 起订10个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFN140N30P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700W

    阈值电压:5V@8mA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14800pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@70A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTK102N30P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTK102N30P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTK102N30P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700W

    阈值电压:5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:224nC@10V

    输入电容:7500pF@25V

    连续漏极电流:102A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@500mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFR140N30P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFR140N30P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFR140N30P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:5V@8mA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:Tube

    输入电容:14800pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@70A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH50N30Q3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH50N30Q3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH50N30Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:690W

    阈值电压:6.5V@4mA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3160pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@25A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 DN2530N3-G 起订4个装
    Microchip Mosfet场效应管 DN2530N3-G 起订4个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN2530N3-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW

    包装方式:

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:175mA

    类型:N沟道

    导通电阻:12Ω@150mA,0V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDA59N30 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDA59N30 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA59N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4670pF@25V

    连续漏极电流:59A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@29.5A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFA26N30X3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFA26N30X3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFA26N30X3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    阈值电压:4.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1465pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@13A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA38N30 起订89个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA38N30 起订89个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2250,"MI+":1350}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA38N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4400pF@25V

    连续漏极电流:38.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@19.2A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 MMIX1F160N30T 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 MMIX1F160N30T 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):20psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMIX1F160N30T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:570W

    阈值电压:5V@8mA

    栅极电荷:335nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2800pF@25V

    连续漏极电流:102A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@60A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP38N30X3M 起订50个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP38N30X3M 起订50个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP38N30X3M

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:Tube

    输入电容:2440pF@25V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH52N30P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH52N30P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH52N30P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3490pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@500mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA38N30 起订38个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA38N30 起订38个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":3150}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA38N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4400pF@25V

    连续漏极电流:38.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@19.2A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN2130K1-G 起订6个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN2130K1-G 起订6个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2130K1-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:85mA

    类型:N沟道

    导通电阻:25Ω@120mA,4.5V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB38N30U 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB38N30U 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB38N30U

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:73nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3340pF@25V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@19A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH120N30X3 起订3个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH120N30X3 起订3个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH120N30X3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:735W

    阈值电压:4.5V@4mA

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10500pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@60A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA44N30 起订81个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA44N30 起订81个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"9999":374}

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA44N30

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5600pF@25V

    连续漏极电流:43.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:69mΩ@21.75A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH72N30X3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH72N30X3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH72N30X3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390W

    阈值电压:4.5V@1.5mA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5400pF@25V

    连续漏极电流:72A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@36A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-7 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-7 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB28N30TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:129mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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