品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7114DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11.7A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@18.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7114DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11.7A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@18.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP4435T1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:19nC@4.5V
输入电容:1.539nF@15V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:151pF@15V
导通电阻:19mΩ@10V,7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7114DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11.7A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@18.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7114DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11.7A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@18.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7114DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11.7A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@18.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7114DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11.7A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@18.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7114DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11.7A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@18.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7114DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11.7A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@18.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7114DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11.7A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@18.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7114DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11.7A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@18.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7114DN-T1-E3
连续漏极电流:11.7A
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:7.5mΩ@18.3A,10V
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功率:1.5W
类型:N沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7114DN-T1-E3
连续漏极电流:11.7A
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:7.5mΩ@18.3A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
类型:N沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7114DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11.7A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@18.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7114DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11.7A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@18.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7114DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11.7A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@18.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):Si7114DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11.7A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@18.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):Si7114DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11.7A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@18.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):Si7114DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11.7A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@18.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP4435T1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:19nC@4.5V
输入电容:1.539nF@15V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:151pF@15V
导通电阻:19mΩ@10V,7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP4435T1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:19nC@4.5V
输入电容:1.539nF@15V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:151pF@15V
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漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7114DN-T1-E3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10V,18.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7114DN-T1-E3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10V,18.3A
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包装清单:商品主体 * 1
库存: