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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J214FE(TE85L，F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：7.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：6150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4813N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€35.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：860pF@12V
连续漏极电流：7.6A€40A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：6645}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4813N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€35.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：860pF@12V
连续漏极电流：7.6A€40A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J214FE(TE85L，F
工作温度：150℃
功率：500mW
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输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：6645}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4813N-1G
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类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@30A，10V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD4813N-35G
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功率：1.27W€35.3W
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包装方式：管件
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导通电阻：13mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J214FE(TE85L，F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J214FE(TE85L，F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
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导通电阻：50mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J214FE(TE85L，F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
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输入电容：560pF@15V
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类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4813N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€35.3W
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包装方式：管件
输入电容：860pF@12V
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类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
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规格型号(MPN)：SSM6J214FE(TE85L，F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD4813N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€35.3W
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输入电容：860pF@12V
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导通电阻：13mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"12+"：6150}
规格型号(MPN)：NTD4813N-35G
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：13mΩ@30A，10V
栅极电荷：7.9nC@4.5V
包装方式：管件
连续漏极电流：7.6A€40A
ECCN：EAR99
输入电容：860pF@12V
功率：1.27W€35.3W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4813N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€35.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.9nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：860pF@12V
连续漏极电流：7.6A€40A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J214FE(TE85L，F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：7.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J214FE(TE85L，F
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
输入电容：560pF@15V
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栅极电荷：7.9nC@4.5V
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，10V
阈值电压：1.2V@1mA
连续漏极电流：3.6A
包装清单：商品主体 * 1
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