采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3061SWQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：1.8V
栅极电荷：3.5nC
连续漏极电流：2.7A
类型：MOSFET
导通电阻：60mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2030TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.3V@25µA
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3160LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
输入电容：384.4pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：122mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：157，"07+"：186927}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3160LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
输入电容：384.4pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：122mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：307000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4149PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3061SWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：278pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2030TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.3V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：388，"22+"：1882}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3160LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
输入电容：384.4pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：122mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3061SWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：278pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359BN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2030TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.3V@25µA
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359BN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2030TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.3V@25µA
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3160L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：227pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：122mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
