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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8313TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15.5mΩ@9.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4468LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.68W
阈值电压：1.95V@250µA
栅极电荷：18.85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4419
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4427BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.7A
类型：P沟道
导通电阻：10.5mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4468LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.68W
阈值电压：1.95V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8313TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15.5mΩ@9.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4419
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4419
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4427BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.7A
类型：P沟道
导通电阻：10.5mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8313TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15.5mΩ@9.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4419
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4419
功率：3W
连续漏极电流：9.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：19.5mΩ@10V，9.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4419
功率：3W
连续漏极电流：9.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：19.5mΩ@10V，9.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4468LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.68W
阈值电压：1.95V@250µA
栅极电荷：18.85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4468LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.68W
阈值电压：1.95V@250µA
栅极电荷：18.85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8313TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15.5mΩ@9.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4468LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.68W
阈值电压：1.95V@250µA
栅极电荷：18.85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4419
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4419
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8313TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15.5mΩ@9.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4468LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.68W
阈值电压：1.95V@250µA
栅极电荷：18.85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4468LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.68W
阈值电压：1.95V@250µA
栅极电荷：18.85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4419
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4419
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4419
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4419
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4419
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4468LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.68W
阈值电压：1.95V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4468LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.68W
阈值电压：1.95V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8313TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：9.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15.5mΩ@9.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
