采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4195PZTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8J5TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：39mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J353F，LF
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：159pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8J5TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：39mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J353F，LF
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：159pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J353F，LF
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：159pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRQ045P03TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J353F，LF
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：159pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ020N03TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：134mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8J5TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：39mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRQ045P03TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ020N03TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：134mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRQ045P03TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ020N03TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：134mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ020N03TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：134mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8J5TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：39mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRQ045P03TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRQ045P03TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J353F，LF
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：159pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8J5TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：39mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4195PZTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4195PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRQ045P03TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：153353}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTS2P03R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@24V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.48A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J353F，LF
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：159pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：45000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4195PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：153353}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTS2P03R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@24V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@2.48A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"02+"：4830，"11+"：615624}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH2825-TL-E
工作温度：-55℃~125℃
功率：600mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@800mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J353F，LF
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：159pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ020N03TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：134mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
