采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0904NSI
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W
阈值电压：2V
栅极电荷：17nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：4.6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0910LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W
阈值电压：2V
栅极电荷：17nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：4.6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0904NSI
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W
阈值电压：2V
栅极电荷：17nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：4.6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0904NSI
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W
阈值电压：2V
栅极电荷：17nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：4.6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3850，"23+"：24882}
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0910LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：4.6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3850，"23+"：24882}
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0910LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：4.6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
输入电容：817pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
功率：37W
栅极电荷：14.3nC@10V
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
连续漏极电流：52A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0910LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：4.6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1077，"9999"：232}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN017-30LL，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0904NSI
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W
阈值电压：2V
栅极电荷：17nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：78A
类型：MOSFET
导通电阻：3.7mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0910LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W
阈值电压：2V
栅极电荷：17nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：4.6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0910LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：4.6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
