采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2，"21+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN022-30PL，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：41W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS782DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1025pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS782DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1025pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN6586
功率：41W
阈值电压：1.35V@250μA
栅极电荷：20nC
输入电容：1.15nF
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：105pF
导通电阻：6.5mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN6586
功率：41W
阈值电压：1.35V@250μA
栅极电荷：20nC
输入电容：1.15nF
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：105pF
导通电阻：6.5mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS782DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1025pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2，"21+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN022-30PL，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：41W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS782DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1025pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS782DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1025pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS782DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1025pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN6586
功率：41W
阈值电压：1.35V@250μA
栅极电荷：20nC
输入电容：1.15nF
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：105pF
导通电阻：6.5mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN6586
功率：41W
阈值电压：1.35V@250μA
栅极电荷：20nC
输入电容：1.15nF
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：105pF
导通电阻：6.5mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2，"21+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN022-30PL，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：41W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
