采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5418DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@7.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5419DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5419DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C08NTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5419DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C08NTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5419DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5419DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5418DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@7.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C08NTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C08NTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C08NTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C08NTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5419DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C08NTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C08NTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7522E
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1540pF@15V
连续漏极电流：21A€34A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5419DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5419DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5419DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5419DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C08NTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5419DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5419DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5419DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5419DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5419DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5419DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5419DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5419DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
