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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
功率：980mW
连续漏极电流：19.8A€50A
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：46nC@10V
类型：1个P沟道
输入电容：2.38nF@15V
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
功率：980mW
连续漏极电流：19.8A€50A
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：46nC@10V
类型：1个P沟道
输入电容：2.38nF@15V
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3110SQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110SQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110SQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110SQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH3004LFG-7
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
栅极电荷：44nC@10V
功率：2.5W€50W
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
连续漏极电流：15A€75A
阈值电压：3V@250μA
输入电容：2.37nF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
