采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV19XNEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€8.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB29XNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM320N03CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：792pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV40UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV100XPR
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：354pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV100XPR
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：354pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20XNER
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@5.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20XNER
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@5.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV40UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV19XNEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€8.3W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB47XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1365pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：58mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV19XNEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€8.3W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30UNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€4.46W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV40UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV19XNEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：610mW€8.3W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM320N03CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：792pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM320N03CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：792pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM320N03CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：792pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV40UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30UNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€4.46W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20XNER
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@5.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20XNER
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@5.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
