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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL1，LQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.92mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060P03NS3EGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.1V@150µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6020pF@15V
连续漏极电流：17.7A€100A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL1，LQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.92mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R4-30BLE，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：178W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4682pF@15V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060P03NS3EGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.1V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6020pF@15V
连续漏极电流：17.7A€100A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060P03NS3EGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.1V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6020pF@15V
连续漏极电流：17.7A€100A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060P03NS3EGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.1V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6020pF@15V
连续漏极电流：17.7A€100A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R4-30BLE，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：178W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4682pF@15V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL1，LQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.92mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL1，LQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.92mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL1，LQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.92mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL1，LQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.92mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060P03NS3EGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.1V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6020pF@15V
连续漏极电流：17.7A€100A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL1，LQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.92mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL1，LQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.92mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060P03NS3EGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.1V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6020pF@15V
连续漏极电流：17.7A€100A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060P03NS3EGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.1V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6020pF@15V
连续漏极电流：17.7A€100A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060P03NS3EGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.1V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6020pF@15V
连续漏极电流：17.7A€100A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060P03NS3EGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.1V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6020pF@15V
连续漏极电流：17.7A€100A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060P03NS3EGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.1V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6020pF@15V
连续漏极电流：17.7A€100A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R4-30BLE，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：178W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4682pF@15V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL1，LQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.92mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R4-30BLE，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：178W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4682pF@15V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R4-30BLE，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：178W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4682pF@15V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL1，LQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.92mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL1，LQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.92mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3350，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO080P03NS3EGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3.1V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6750pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@14.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：24}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC060P03NS3EGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.1V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6020pF@15V
连续漏极电流：17.7A€100A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3350，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO080P03NS3EGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3.1V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6750pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@14.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R4-30BLE，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：178W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4682pF@15V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
