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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-30YL,115 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-30YL,115 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R5-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2458pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8672S 起订370个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8672S 起订370个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8672S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8318TRPBF 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8318TRPBF 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH8318TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€59W

    阈值电压:2.35V@50µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3180pF@10V

    连续漏极电流:27A€120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0901NSIATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0901NSIATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0901NSIATMA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.6nF@15V

    连续漏极电流:25A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8318TRPBF 起订8个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8318TRPBF 起订8个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH8318TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€59W

    阈值电压:2.35V@50µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3180pF@10V

    连续漏极电流:27A€120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R6-30MLHX 起订885个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R6-30MLHX 起订885个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":60000,"MI+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R6-30MLHX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:106W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2369pF@15V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8318TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8318TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH8318TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€59W

    阈值电压:2.35V@50µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3180pF@10V

    连续漏极电流:27A€120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3017SFG-13 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3017SFG-13 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3017SFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2246pF@15V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-30YL,115 起订25个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-30YL,115 起订25个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R5-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2458pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-30YL,115 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-30YL,115 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R5-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2458pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425FDY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425FDY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4425FDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€4.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1620pF@15V

    连续漏极电流:12.7A€18.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425FDY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425FDY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4425FDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€4.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1620pF@15V

    连续漏极电流:12.7A€18.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH5304TRPBF 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH5304TRPBF 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":14924}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH5304TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€46W

    阈值电压:2.35V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2360pF@10V

    连续漏极电流:22A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@47A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1R603PL,L1Q 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1R603PL,L1Q 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN1R603PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:104W

    阈值电压:2.1V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 30N03A 起订500个装
    UMW Mosfet场效应管 30N03A 起订500个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):30N03A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:105W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1963pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425FDY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425FDY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4425FDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€4.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1620pF@15V

    连续漏极电流:12.7A€18.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8318TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8318TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH8318TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€59W

    阈值电压:2.35V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3180pF@10V

    连续漏极电流:27A€120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8318TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8318TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH8318TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€59W

    阈值电压:2.35V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3180pF@10V

    连续漏极电流:27A€120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0901NSIATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0901NSIATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":196520}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0901NSIATMA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.6nF@15V

    连续漏极电流:25A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3017SFG-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3017SFG-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3017SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2246pF@15V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-30YL,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-30YL,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R5-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2458pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3017SFG-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3017SFG-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3017SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2246pF@15V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4904N-35G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4904N-35G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":12575,"16+":9675}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4904N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3052pF@15V

    连续漏极电流:13A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 100N03A 起订1000个装
    UMW Mosfet场效应管 100N03A 起订1000个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):100N03A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:105W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1963pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-30YL,115 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R5-30YL,115 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R5-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2458pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 100N03A 起订500个装
    UMW Mosfet场效应管 100N03A 起订500个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):100N03A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:105W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1963pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425FDY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425FDY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4425FDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€4.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1620pF@15V

    连续漏极电流:12.7A€18.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1R603PL,L1Q 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1R603PL,L1Q 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN1R603PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:104W

    阈值电压:2.1V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1R603PL,L1Q 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1R603PL,L1Q 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN1R603PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:104W

    阈值电压:2.1V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8318TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8318TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH8318TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€59W

    阈值电压:2.35V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3180pF@10V

    连续漏极电流:27A€120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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