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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH536DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.57W€26.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：24.7A€67.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.25mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6558
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€24W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1128pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6558
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€24W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1128pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISH536DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.57W€26.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：24.7A€67.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.25mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6558
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€24W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1128pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：AON6558
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€24W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1128pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：AON6558
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€24W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1128pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH536DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.57W€26.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：24.7A€67.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.25mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6558
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€24W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1128pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6558
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€24W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1128pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6558
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€24W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1128pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7380
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€24W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7380
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€24W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISH536DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.57W€26.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：24.7A€67.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.25mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6558
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€24W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1128pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7380
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€24W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AON6558
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功率：5W€24W
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栅极电荷：25nC@10V
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输入电容：1128pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7380
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€24W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISH536DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.57W€26.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：24.7A€67.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.25mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：AON6558
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€24W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1128pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH536DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.57W€26.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：24.7A€67.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.25mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH536DN-T1-GE3
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功率：3.57W€26.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：24.7A€67.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.25mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6558
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€24W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1128pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH536DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.57W€26.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：24.7A€67.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.25mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6558
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€24W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1128pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH536DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.57W€26.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：24.7A€67.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.25mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6558
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€24W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1128pF@15V
连续漏极电流：25A€28A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7380
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€24W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH536DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.57W€26.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：24.7A€67.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.25mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7380
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€24W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
