采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC4435BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€31W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2045pF@15V
连续漏极电流：8.5A€18A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC4435BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€31W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2045pF@15V
连续漏极电流：8.5A€18A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R403NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€64W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ050N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@15V
连续漏极电流：15A€40A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ050N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@15V
连续漏极电流：15A€40A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM64P03XTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC4435BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€31W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2045pF@15V
连续漏极电流：8.5A€18A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R403NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€64W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R403NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€64W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC4435BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€31W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2045pF@15V
连续漏极电流：8.5A€18A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：142W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2969pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC4435BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€31W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2045pF@15V
连续漏极电流：8.5A€18A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0312S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€46W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2820pF@15V
连续漏极电流：19A€42A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC4435BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€31W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2045pF@15V
连续漏极电流：8.5A€18A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC4435BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€31W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2045pF@15V
连续漏极电流：8.5A€18A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC4435BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€31W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2045pF@15V
连续漏极电流：8.5A€18A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ050N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@15V
连续漏极电流：15A€40A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM64P03XTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0312S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€46W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2820pF@15V
连续漏极电流：19A€42A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R403NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€64W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC4435BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€31W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2045pF@15V
连续漏极电流：8.5A€18A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：24035，"24+"：21000，"MI+"：2911}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC4435BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€31W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2045pF@15V
连续漏极电流：8.5A€18A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：763，"21+"：2190，"22+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ050N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@15V
连续漏极电流：15A€40A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ050N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@15V
连续漏极电流：15A€40A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ050N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@15V
连续漏极电流：15A€40A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM64P03XTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC4435BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€31W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2045pF@15V
连续漏极电流：8.5A€18A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0312S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€46W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2820pF@15V
连续漏极电流：19A€42A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0312S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€46W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2820pF@15V
连续漏极电流：19A€42A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ050N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@15V
连续漏极电流：15A€40A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
