采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：35765，"16+"：7725}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4969N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.38W€26.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：837pF@15V
连续漏极电流：9.4A€41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"0D+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0396DPA-00#J53
功率：28W
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
输入电容：1.33nF@10V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：3762，"10+"：391000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4823NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW€32.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1013pF@12V
连续漏极电流：7.1A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：25372，"9E+"：86414，"9F+"：3000}
包装规格(MPQ)：541psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK03B8DPA-00#J53
功率：28W
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：1.33nF@10V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：14942，"12+"：25000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4823NTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW€32.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1013pF@12V
连续漏极电流：7.1A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"0D+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0396DPA-00#J53
功率：28W
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
输入电容：1.33nF@10V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"0D+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0396DPA-00#J53
功率：28W
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
输入电容：1.33nF@10V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：25372，"9E+"：86414，"9F+"：3000}
包装规格(MPQ)：541psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK03B8DPA-00#J53
功率：28W
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：1.33nF@10V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
