采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：689，"21+"：55972，"MI+"：10500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：219194，"20+"：4480，"23+"：1500，"MI+"：30905}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM3400
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
输入电容：823pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：77pF@15V
导通电阻：25mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM3400
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
输入电容：823pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：77pF@15V
导通电阻：25mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：219194，"20+"：4480，"23+"：1500，"MI+"：30905}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM3400
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
输入电容：823pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：77pF@15V
导通电阻：25mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM3400
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
输入电容：823pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：77pF@15V
导通电阻：25mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：689，"21+"：55972，"MI+"：10500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：219194，"20+"：4480，"23+"：1500，"MI+"：30905}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
输入电容：987pF@15V
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：750mW€23.6W
连续漏极电流：8.2A
栅极电荷：9.7nC@4.5V
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM3400
连续漏极电流：5.8A
功率：1.4W
漏源电压：30V
输入电容：823pF@15V
反向传输电容：77pF@15V
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，5.8A
栅极电荷：9.7nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：219194，"20+"：4480，"23+"：1500，"MI+"：30905}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
